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Aruba AP22 Access Point unmöglich einzurichten!?

Guten Abend liebe Leute

Ich habe ein schier unlösbares Problem. Zwecks besser WIFI Abdeckung habe ich mir ein Access Point Aruba AP22 gekauft und mittels Poe Injektor ans Netz angeschlossen. (an einem Switch) Zum Einrichten des Access Pont muss man das Instant On App auf sein Mobile herunterladen, (Android oder Apfel :-) mit den Notebook oder Tablet geht es leider nicht. Sobald der Access Point angeschlossen hat und es sich aufgestartet hat blinkt ein LED grün-orange, laut Anleitung heisst das, "das Gerät ist bereit zum Einrichten". Gehe ich beim Handy beim Instand On auf Netzwerk erweitern wähle Geräte hinzufügen, erscheint das Gerät mittel S/N Nummer und einm roten eingeringtem !. Klicke ich das Gerät an erscheint ein Feld mit dem Hinweis, "Muss mit einem LAN-Port des Instant On Gateways verbunden sein". Ich habe das Gerät mit einem anderen Netzwerkkabel verbunden, ein Netzgerät angeschlossen, (keinPoe mehr) dierekt an den Roter angeschlossen, zwecks 100%er Verbindung meines Handy's mit dem Netzwerk es an ein LAN Kabel angeschlossen. Alles, aber auch alles ohne einen Erfolg. Der Router (FritzBox) erkennt den Access Point und hat ihm auch eine IP Adresse zugewiesen. Nun in ich am Ende meines Latein. Ich habe übrigens schon einen AP22 installiert, ohne Probleme. Der neue jedoch will einfach nicht. Könnte das vielleicht am Access Point selber liegen oder hat von Euch noch eine Idee?

Vielen Dank für Eure Antwort

Gruss Columbus

WLAN, Netzwerk

Wird die 2nm-Chipfertigung an physikalischen Grenzen scheitern oder mit neuen Architekturen beherrschbar bleiben?

Ich bin IT-Ingenieur und befasse mich seit Jahren mit Hardware-Architektur und Halbleiterfertigung. Aktuell verfolge ich intensiv die Entwicklungen rund um 2nm- und Sub-2nm-Prozesse bei TSMC, Samsung und Intel.

Mich interessieren dabei die realen technischen Limitierungen, die mit dieser Fertigungsklasse einhergehen. Daher ein paar präzise Detailfragen an alle, die sich mit Halbleitertechnik wirklich auskennen:

  • Wie weit sind Gate-All-Around-FETs (GAA) für unter 2nm aktuell wirklich einsatzreif — und wie problematisch sind Leckströme und thermische Herausforderungen in der Praxis?
  • Inwiefern beeinflussen Variability-Induced Performance Loss und Threshold Voltage Shifts die Zuverlässigkeit und Serienfertigung bei solchen Gate-Längen?
  • Welche Rolle spielen Backside Power Delivery Network (BSPDN) und Backside Metallization konkret für thermische Entkopplung und Signalintegrität?
  • Gibt es eurer Meinung nach einen physikalischen Punkt, an dem Miniaturisierung bei klassischen Silizium-basierten Prozessen keinen Sinn mehr macht, und ab wann nur noch Chiplet-Designs und Heterogeneous Integration den Fortschritt sichern können?
  • Und zum Schluss: Wie schätzt ihr die künftige Kosten-Nutzen-Relation bei Maskensätzen für 2nm und darunter ein, speziell bei EUV-Lithografie und möglichen Nachfolgetechnologien?

Freue mich auf technisch fundierte Meinungen — idealerweise von Leuten aus der Chipentwicklung, Halbleiterfertigung oder Embedded-Branche.

PC, Computer, Technik, Netzwerk, IT, USA, Chip, Intel, Nvidia

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