halbleiterbauelemente haben eine verlustleistung d.h. es entsteht wärme. je wärmer das silizium wird desto geringer sein elektrischer widerstand was bedeutet, daß mehr strom fließt und noch mehr wärme entsteht. so bei etwa 70 grad entsteht dann eine kritische temparatur wo sich die zuvor beschriebenen effekte gegenseitig hochschauckeln und der chip zerstört wird. der betrieb bei erhöhten temparaturen verkürzt die lebensdauer der bauelemente. in der regel kann man bei fast allen c-gehäusen einen zusäötzlichen lüfter nachrüsten. mfg