Mosfet wie beschalten?
Ich habe ein Heizbett welches mit einem pwm Signal angesteuert wird. Jedoch geht dieser Strom über eine Platine die nicht dafür gemacht ist. Nun habe ich einen Mosfet IRF530, Ich las irgendwo in nem Datenblatt etwas von max. 250μA auf Gate. Nun ich arbeite mit 12V also habe ich mal 50kΩ dran gemacht. Damit schaltet er jedoch ziemlich träge. Nun will ich wissen ob ich den Mosfet (Gate) auch direkt an die 12v hängen darf. Ausserdem bin ich mir nicht sicher wo die quelle und wo der Verbraucher hin muss. Quelle -> drain Verbraucher -> source? Habe ich so ähnlich in nem Datenblatt gesehen. Danke für eure Hilfe..
3 Antworten
Der Verbraucher ist üblicherweise zwischen Quelle (+) und dem Drain-Pin des Mosfets. Der Source ist direkt mit dem Gnd / -verbunden und die Spannung am Gate ist dann zwischen Gnd und dem Gate-Pin.
Im Datenblatt ( International Rectifier IRF530N HEXFET) steht Du darfst +/- 20 V ans Gate anlegen,12 V sind sicher OK. Warum dann doch ein kleiner Gate-Widerstand hilfreich ist steht ein paar Zeilen weiter unten: Der Mosfet kann mit 7.4 V/ns einschalten (du/dt), deine 12V wären dann in nur 1.5 ns erreicht! Das kann zu Schwingungen im Schaltkreis führen.
Auf der nächsten Seite steht verschiedene Schaltzeiten td(on),td(off) und so weiter für eine typische Anwendung, und da werden 12 Ohm verwendet. Wenn Du einen ähnlichen Widerstand verwendest (ungefähr 10 Ohm) kannst Du nichts falsch machen.
Und bitte daran denken, dass der Mosfet auch warm wird. Der hält zwar 60A im PWM aus (Pulsed Drain Current), darf aber "nur" 175°C heiß werden (wenn nicht vorher schon deine Stromquelle aufgibt ;-) ). D.h. probiere erst mal ein PWM aus, dass nur wenig einschalten bietet und fahre dann immer weiter hoch. Wird der Mosfet (zu) warm, dann brauchst Du entweder einen Kühlkörper oder musst das PWM hier stoppen.
Vielen dank :) Kühlkörper is schon dran Er wird maximal 8A schalten also erwarte ich nicht allzuhohe Temperaturen ich werde es mal mit einem 10ohm widerstand versuchen. jetzt verstehe ich das Datenblatt schon eher ^-^
Hallo.
Also da es sich um einen Mosfet handelt, bei dem das Gate isoliert ist, kannst du die 12V direkt an das Gate anschließen, dann sollte er deutlisch schneller schalten.
Die max 250µA beziehen sich wie ich das sehe darauf wie viel Strom vom Gate zum Source fließen kann. (quasi Leckstrom)
Wenn es nur ein Heizdraht ist hängst du den Verbraucher am besten zwischen Versorgungsspannung und Drain. Und den Source vom Mosfet an Masse bzw, das andere Ende der Versorgungsspannung.
Drücke dir die Daumen!
Danke dir, werde ich versuchen. wie genau es heizt weiss ich nicht aber es sind nur zwei Drähte (+/-) Also wird es wohl etwas In der Art sein
Die max 250µA beziehen sich wie ich das sehe darauf wie viel Strom vom Gate zum Source fließen kann.
Dann wär die Gateisolation schon ziemlich schlecht ;)
Der Strom bezieht sich auf den Leckstrom von Drain nach Source bei 0V Gate Spannung.
Ich nehm mal an es ist ein N-Kannal Mosfet.
In dem Fall kommt die positive Seite der Spannungsquelle an den Verbraucher. Der Verbraucher kommt dann an Drain und Source kommt an die negative Seite der Spannnungsquelle.
Die 250µA sind die Zero Gate Voltage Drain Current, das ist der Strom welcher über die Drain Source Strecke fließt wenn am Gate 0V anliegen und hat nichts mit dem Maximalstrom am Gate zu tun.
IdR reicht zwischen Gate und den 12V ein 10Ohm Widerstand. Deine 12V müssen dann eben für ein paar ns nur 1.2A führen, das sollte aber schon möglich sein. Btw der Sinn des Gate Widerstandes ist weniger dass das Gate abbrennen könnte sondern mehr um Schwingungen auf der Gateleitung zu vermeiden.
vielen Dank, Ich werde es wahrscheinlich mal ohne widerstand versuchen :)