wodurch kommt der sperreffekt in einer diode zustande?

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2 Antworten

Wenn du dir den Aufbau einer Diode mal genauer anguckst, wirst du sehen, dass eine Diode aus einem n- und einem p-dotierten Halbleitermaterial besteht.

Beim n-Halbleiter kann man vereinfacht davon ausgehen, dass dieser Elektronen enthält, die sich über einem Untergrund von ortsfesten positiven Ladungen relativ frei bewegen können, während beim p-Halbleiter sich Löcher über einen Untergrund ortsfester negativer Ladung bewegen.

Polung in Sperrrichtung:
Der Pluspol liegt an der n-Zone, der Minuspol an der p-Zone. Die beweglichen Ladungsträger werden von den Polen der Spannungsquelle angezogen, die Raumladungsschicht vergrößert sich. Die p-n-Schicht sperrt.

Polung in Durchlassrichtung:
Der Minuspol liegt an der n-Zone, der Pluspol an der p-Zone. Die beweglichen Ladungsträger werden von den Polen der Spannungsquelle abgestoßen und in die Raumladungszone gedrängt, die sich - je nach dem Betrag der Spannung - verkleinert oder ganz abgebaut wird. In der Grenzschicht findet eine Rekombination von Elektronen und Löchern statt. Die verschwundenen Ladungsträger werden von der Stromquelle laufend ersetzt: Elektronen gelangen vom Minuspol in die n-Zone. Der Pluspol "saugt" gebundene Elektronen in der p-Zone ab, so dass es dort zu neuen Löchern kommt. Es fließt ein (technischer) Strom vom Plus- zum Minuspol der Quelle.

MfG Len98

p.S.: Genaueres hier: http://www.leifiphysik.de/themenbereiche/halbleiterdiode

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Wenn man zwei Schichten aneinander reiht wandern die freien Elektronen die durch das dotieren der z.B. Silizium schicht an die übergangstelle und der Strom kann nur noch in eine Seite fließe(die Elektronen können nur noch in eine Seite wandern).

Anders gesagt, aufgrund der Eigenschaften des Dotierten Materials (dotiert=gezielt verunreinigt).

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