Was ist das Funktionsprinzip von bipolaren und unipolaren Transistoren (Mosfet)?

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2 Antworten

Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET auch MOS-FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MISFET) zuzurechnen. Obwohl heute dotiertes Polysilizium als Gate-Material vorherrscht, wurde die Bezeichnung MOSFET beibehalten. Historisch begründet steht damit MOSFET als Synonym für IGFET (siehe auch Abschnitt Name).

Wie bei allen IGFE-Transistoren erfolgt die Ansteuerung eines MOSFETs über eine Steuerspannung (Gate-Source-Spannung) bzw. Steuerpotential (Gate-Potential), mit ihr kann der Stromfluss von Drain nach Source beeinflusst werden.

Wegen der großen Packungsdichte und der geringen Herstellungskosten handelt es sich um den meistverwendeten Transistor für analoge und digitale integrierte Schaltungen.

Quelle: https://de.wikipedia.org/wiki/Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

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