2 Spannungen bei einer Diode?

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2 Antworten

Die Durchlasskennlinie einer Halbleiterdiode ist nichtlinear und weist an der Stelle  U(z)ₒ ≈ 0,6V  (Schwellspannung einer Si-Diode) eine starke Änderung des dynamischen Widerstandes auf. Nach diesem Kennlinienknick verläuft die Durchlasskennlinie mehr oder weniger steil.

Der Anstieg entspricht dem dynamischen Leitwert, bzw. dem Kehrwert des dynamischen Widerstandes  r(z).  Bei einer bestimmten Stromstärke I(z) entsteht zusätzlich zur Schwellspannung  U(z)ₒ  ein Spannungsabfall in Durchlassrichtung aufgrund des Kennlinienverlaufes. Dieser Spannungsabfall ist   I(z) ∙ r(z).

Folglich beträgt der gesamte Spannungsabfall an einer Si-Diode in Durchlassrichtung:    Uges = U(z)ₒ + I(z) ∙ r(z).

LG

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Das kommt auf die Polarität an: Eine Z-Ziode hat in Sperrrichtung ihre Z-Spannung und in Durchlassrichtung die ganz normalen 0,6 V.

Mfg

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