Frage von Monsieurdekay, 13

Was ist der genaue Vorteil des Siliziumoxids in der Halbleiterelektronik?

Also so viel ich weiß, kann das Silizium nur in einem Punkt gegen das GaAs ankommen und zwar in der Oxidation, da die Oberfläche sich sehr schnell mit Fremdatomen verbindet... aber was ist denn der genaue Vorteil daran? Diese Oxidationsschicht hat ja negativen Einfluss bei der Dotierung, oder nicht?

Antwort
von jorgang, 7

Auf Si kann man durch thermische Oxidation SiO2-Schichten genau definierter Dicke erzeugen. Die Schichten kann man als Isolationsschichten für mehrlagige Strukturen verwenden, als Masken für Dotierschritte, als Schichten für Gates bei FETs. Diese natürlich wachsenden Schichten hat GaAs z.B. nicht und man muss Isolatorschichten oder Diffusionsmasken mit komplizierten Prozessen aufbringen. Die Möglichkeit des Maskierens und selektiven Ätzens eröffnet den Weg zur Planartechnologie.

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